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2018 IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA 2018)在京成功召开
发布时间:2019-08-15  信息发布人:管理员  

  2018年11月21-23 日,由北京市科学技术协会支持,IEEE 北京分会、北京电子学会主办,北京市电子科技情报研究所和北京燕东微电子有限公司协办的第一届IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA 2018 )在北京世纪金源大饭店盛大开启。来自中国、瑞士、法国、韩国、日本、意大利、新加坡、德国、美国、尼日利亚、埃及、孟加拉国、中国香港、中国澳门14个国家和地区,近200名专家学者和科研人员出席了会议。来自北京市科学技术协会的副主席于德明、北京电子学会常务理事长孟康生、副理事长郭华平、北京电子商会副会长兼秘书长燕军,以及工信部人才交流中心、中关村不动产商会、北京燕东微电子有限公司、京东方科技集团股份有限公司、北京兆维电子(集团)有限责任公司等单位的代表参加了此次开幕式。本届会议主题为“物联网和5G中的传感器、集成电路和系统”。ICTA 2018在模拟,RF和数字设计以及新兴的AI IC设计热点组织了四场大师级培训班。在大会开幕式上特别邀请到来自德国亚琛工业大学的Stefan Heinen博士和美国圣约瑟夫大学的Joseph Xie博士就学术界和工业界的RFIC复杂性挑战和中国半导体产业面临的挑战及人才需求与建议作大会报告。会议还就集成电路领域热门话题邀请国际知名专家做6场主题演讲,组织了关于5G的mmWave IC和用于下一代计算的Quantum IC的2 场专题会议,以及23个主题分会场。

2018 IEEE国际集成电路技术与应用学术会议(ICTA 2018)在京成功召开

  会议开幕式由技术委员会主席、中国科学技术大学林福江教授主持。北京市科学技术协会于德明副主席出席会议并致辞,于德明指出ICTA 为中国的专家学者以及相关领域的工程师提供了国际集成电路领域先进技术的交流机会,ICTA也是外国专家了解中国半导体行业进展的良好平台,对ICTA 2018的成功开启以及未来ICTA会议的成功举办表示了诚挚祝贺。大会主席、清华大学王志华教授在开幕式致辞,对与会的专家学者表示真诚的欢迎,并介绍ICTA 国际会议ICTA 2018 是集成电路设计、技术和应用及相关跨学科交叉领域的最新技术成果进行交流和展示,旨在打造全球IC 设计、技术和应用的前沿论坛和交流平台,成为国内集成电路国际性旗舰会议,为我国科研人员参与顶尖技术培训和学术研讨,为企业了解最新技术成果及发展趋势提供交流平台。技术委员会副主席、中国科学院半导体所刘力源研究员介绍ICTA2018会议的技术程序委员会组成概况,以及论文的接收、评审录用情况,ICTA 2018收到166份提交论文,经过全球技术委员会成员的认真审查后,接收73篇论文,接收率为43.9%,严格的审核程序以保证会议的高质量。

  行业翘楚  专业培训  大师班培训由多名资深专家亲自授课,分别邀请到新加坡国立大学的Yongping Xu教授、中国科学技术大学Yi Kang教授、韩国科学技术院的Hoi-Jun Yoo教授以及澳门大学的Ben Seng-Pan U教授,他们分别从《Design of Integrated Neural Recording Amplifier》、《A Practical Methodology of Implementing CPU in Application Processor SoC》、《Mobile/Embedded DNNs and AI SoCs》、 《Top-Down Design of Hybrid Analog-to-Digital Interface for Communication SoCs》4方面进行培训课程的讲授。培训主题涵盖从传统的模拟设计和数字设计到新兴的AI和THz设计技术,对国内学者和研究人员进行了国际前沿技术的精彩培训。

  特邀报告  精彩亮相

  法国波尔多大学IMS实验室Yann Deval教授主持了大会报告。会上,德国亚琛工业大学教授Stefan Heinen作了题为《RFIC Complexity a Challenge for Academia and Industry》的大会主题报告,回顾了RFIC的发展历史,讨论了当前RFIC技术的发展水平,并指出未来的发展需求;美国圣约瑟夫大学的Joseph Xie教授作了《Challenges of China Semiconductor Industry and Talent Requirements and Suggestions》报告,通过对全球半导体生态链与中国大陆半导体生态链的比较,详细论述了中国半导体产业的痛点和机遇,并对未来5年半导体技术人才和管理人才的需求和培养提出了建议。主题演讲专家们围绕本次会议的主题“物联网和5G中的传感器、集成电路和系统”分别从各个角度对国际集成电路新技术进行全面的阐述,东南大学Jixin Chen教授的《Research Progress of the Circuits and Systems for the Millimeter Wave and Terahertz Communication》,介绍了新开发的26GHz、28GHz和39GHz毫米波大规模MIMO阵列,THz电路设计新技术等,对未来5G毫米波和太赫兹系统的改进有重要的意义;浙江大学Erping Li教授的《De-embedding Measurement Method for TSV based 3D-IC》,讲述了3D IC中TSV的新建模、测量、设计和分析方法;瑞士洛桑联邦理工学院Edoardo Charbon教授的《SOI Technology for Quantum Information Processing》;美国理海大学James C. M. Hwang教授的《Wafer-scale Fabrication of MoS2 and PtSe2 MOSFETs for Future-Generation Thin-Film Electronics》;香港城市大学Hei Wong教授的《Compact Modeling and Short-Channel Effects of Nanowire MOS Transistors》;合肥长鑫存储技术有限公司Erxuan Ping教授的 《Memory – The Old and The New》,回顾了存储器技术的发展变化,介绍了当前的发展状况,并讨论了未来存储器的发展前景。

  聚焦热点  畅所欲言  专家就mmWave IC和Quantum ICs展专题研讨,并展示了这两项技术的最新进展。复旦大学的Hongtao Xu教授主持了“mmWave and RFIC for 5G”的专题会议,他讲到,下一代移动无线通信预计会在大规模连接、吞吐量和延迟方面实现数量级的改进,这种新的无线电技术需要多项mmWave / RFIC创新。在这项技术的讨论中,日本东京工业大学的Kenichi Okada教授、法国波尔多大学的Yann Deval教授、东南大学的Dixian Zhao教授分别作了题为《A 28GHz CMOS Phased-Array Transceiver Using LO Phase Shifter for 5G New Radio》、《The Riemann Pump: a Technique for Carrier-Aggregation Radio-Frequency Transceivers》、《Key Building Blocks for 5G Millimeter-Wave Phased Array》的精彩报告,从不同侧面讲述了mmWave IC的关键技术。